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GE PFDN440 Évacuation Latérale suite, Évacuation PAR LE DEssOUs, Ajouter UNE Plaque D’OBTURATION

Models: PFMS455 PFMS450 PFDN445 PFDN440 PFDS450 PFDS455 PFMN445 PFMN440

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Instructions d’installation

ÉVACUATION DE LA sÉCHEUsE (suite)

ÉVACUATION LATÉRALE (suite)

AJOUTER UN COUDE ET UN CONDUIT POUR L’ÉVACUATION sUR LA GAUCHE ET LA DROITE DE L’APPAREIL (suite)

•Appliquez du ruban Ruban adhésif adhésif comme

indiqué sur le joint entre le tuyau interne de la sécheuse et

le coude, et également sur le joint entre le coude et le tuyau latéral.

ATTENTION: UTILIsEZ UN CONDUIT MÉTALLIQUE RIGIDE DE 10 CM UNIQUEMENT À L'INTÉRIEUR DE LA sÉCHEUsE.

LEs JONCTIONs DE CANALIsATION INTERNE DOIVENT êTRE BLOQUÉEs AVEC UN RUBAN ADHÉsIF, sINON ELLEs PEUVENT sE sÉPARER ET POsER UN DANGER POUR LA sÉCURITÉ.

AJOUTER UNE PLAQUE D’OBTURATION

ÀL’ARRIÈRE DE LA CARROssERIE

(ÉVACUATION LATÉRALE)

Plaque

(Ensemble WE1M454)

Connectez les coudes et les conduits métalliques pour terminer l’installation

du système d’évacuation. Recouvrez l’orifice arrière d’une plaque (Ensemble WE1M454) disponible auprès de votre fournisseur local. Placez

la sécheuse à son emplacement final.

AVERTIssEMENT –

IL FAUT TOUJOURs LAIssER LA PLAQUE D’OBTURATION sUR L’ORIFICE À L’ARRIÈRE DE LA sÉCHEUsE. (Ensemble WE1M454)

ÉVACUATION PAR LE DEssOUs :

Orifice d’évacuation de la sécheuse par le dessous de la carrosserie sur les modèles fonctionnant au gaz et à l’électricité.

AVERTIssEMENT –

AVANT DE PROCÉDER A L’INsTALLATION

DU sYsTEME D’ÉVACUATION, VEILLEZ À COUPER L’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE DE LA sÉCHEUsE. PROTÉGEZ VOs MAINs ET VOs BRAs DEs PARTIEs COUPANTEs LORQUE VOUs TRAVAILLEZ sUR LA CARROssERIE. MUNIssEZ-VOUs

DE GANTs.

Retirez la vis et mettez-la de côté

Dessous

Retirez la débouchure appropriée (une seule)

Retirez la vis située à l’intérieur du tuyau d’évacuation de la sécheuse et conservez-la. Retirez le tuyau de la sécheuse. Enlevez

la débouchure du dessous.

Trou de fixation

A

33,7 cm (13 1⁄4 po)

Coupez le tuyau comme indiqué et conservez la portion A.

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GE PFDN440, PFDS450, PFMN445, PFDS455 Évacuation Latérale suite, Évacuation PAR LE DEssOUs, Ajouter UNE Plaque D’OBTURATION
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PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.