Instructions d’installation

RACCORDEMENT D’UNE sÉCHEUsE ÉLECTRIQUE (suite)

RACCORDEMENT DE LA sÉCHEUsE À L’AIDE D’UN CÂBLE À 3 FILs

 

 

Languette

 

 

 

de mise

 

Vis verte de mise

à la terre

Support

Faites installer, à la terre

 

 

Fil sous

du

si le code local

 

 

tension

réducteur

l’exige, une

 

 

 

de tension

mise à la terre

 

 

 

 

externe (non

 

 

 

 

fournie) sur un

Vis (3)

 

 

tuyau d’eau

 

 

froide

 

 

 

 

métallique mis

Neutre

Fil sous

 

à la terre

 

tension

 

ou toute autre

(blanc)

 

 

 

mise à la terre

 

 

Réducteur

 

par un

 

 

de tension

 

électricien

 

 

3/4 po (UL)

 

qualifié.

3 conducteurs en cuivre N° 10

Couvercle

 

minimum ou cordon d’alimentation

de 120/240 V 30 A pour sécheuse muni de cosses ouvertes ou à anneau (non fourni)

1.Déclenchez le(s) disjoncteurs(s) ou retirez le(s) fusible(s) du circuit du tableau électrique.

2.Assurez-vous que le cordon de la sécheuse est débranché de la prise murale.

3.Retirez le couvercle du cordon d’alimentation situé à l’arrière.

4.Insérez un réducteur de tension conforme

UL 3/4 po dans le trou d’entrée du cordon. Faites passer le cordon d’alimentation dans le réducteur de tension.

5.Connectez le cordon d’alimentation comme suit :

A.Connectez les 2 fils sous tension aux vis extérieures de la plaque à bornes (L1 et L2).

B.Connectez le fil neutre (blanc) au centre de la plaque à bornes (N).

6.Veillez à ce que la languette de mise à la terre

soit connectée à la borne neutre (centre)

de la plaque à bornes et à la vis verte de mise

à la terre sur le boîtier. Serrez toutes les vis de la plaque à bornes (3) complètement.

7.Fixez le cordon d’alimentation dans le réducteur de tension.

8.Réinstallez le couvercle.

AVERTIssEMENT –

NE LAIssEZ JAMAIs LE COUVERCLE ENLEVÉ

DE LA PLAQUE À BORNEs.

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GE PFDS455, PFDS450, PFDN440, PFMN445, PFMS450, PFMN440, PFDN445 Raccordement DE LA sÉCHEUsE À L’AIDE D’UN Câble À 3 FILs

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.